參數(shù)資料
型號： SI9802DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： 雙N溝道減少Q(mào)g和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： SI9802DY
Si9802DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
4
Document Number: 70625
S-51303—Rev. A, 19-Dec-96
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
–50
0
50
100
150
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
2
4
6
8
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 4.5 A
I
D
= 250 A
0
0.4
10
0.8
1.2
1.4
1
10
–3
10
–2
1
10
30
10
–1
10
–4
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0
0.1
40
50
10
20
30
1
10
30
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
30
V
V
G
0.2
0.6
1.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si9910DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:24; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:12; Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si9910DJ Adaptive Power MOSFET Driver1
Si9910DY Adaptive Power MOSFET Driver1
SI9910 Adaptive Power MOSFET Driver1
Si9910DJ-T1 Adaptive Power MOSFET Driver1
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參數(shù)描述
SI9803DY 功能描述:MOSFET 25V 5.9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY 功能描述:MOSFET 25V 7.8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SO
SI9806DY 功能描述:MOSFET 25V 7/1.8 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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