參數(shù)資料
型號： SI9801DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-/P-Channel, Reduced Qg, Fast Switching Half-Bridge
中文描述： N-/P-Channel，，快速切換減少一半Qg和橋
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： SI9801DY
Si9801DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70712
S-61825—Rev. C, 16-Aug-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
5-1
N-/P-Channel, Reduced Q
g
, Fast Switching Half-Bridge
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
N-Channel
20
0.055 @ V
GS
= 4.5 V
4.5
0.075 @ V
GS
= 3.0 V
3.8
P-Channel
–20
0.080 @ V
GS
= –4.5 V
4.0
0.120 @ V
GS
= –3.0 V
3.0
S
2
G
2
G
1
S
1
D
S
1
D
G
1
D
S
2
D
G
2
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
–20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
14
Continuous Drain Current (T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.5
4.0
A
T
A
= 70 C
3.6
3.0
Pulsed Drain Current
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
–1.7
a
Maximum Power Dissipation
T
A
= 25 C
D
P
2.0
W
T
A
= 70 C
1.3
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
N- or P-Channel
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
62.5
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9802DY Dual N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si9910DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:24; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:12; Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si9910DJ Adaptive Power MOSFET Driver1
Si9910DY Adaptive Power MOSFET Driver1
SI9910 Adaptive Power MOSFET Driver1
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9802DY 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9803DY 功能描述:MOSFET 25V 5.9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY 功能描述:MOSFET 25V 7.8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SO
SI9806DY 功能描述:MOSFET 25V 7/1.8 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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