參數(shù)資料
型號(hào)： SI7806BDN-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 113K
代理商： SI7806BDN-T1-E3
www.vishay.com
4
Document Number: 73081
S-60790-Rev. B, 08-May-06
Vishay Siliconix
Si7806BDN
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C unless noted
Threshold Voltage
- 1.0
- 0.
8
- 0.6
- 0.4
- 0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250
μ
A
)
V
(
c
n
a
V
V
)
S
G
T
J
Temperat
u
re (°C)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
0.01
0
1
40
50
10
600
Time (sec)
30
20
)
W
(
w
o
P
0.1
10
100
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-So
u
rce
V
oltage (
V
)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 °C
Single P
u
lse
I
D
)
A
(
e
C
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
B
V
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single P
u
lse
D
u
ty Cycle = 0.5
Sq
u
are
W
a
v
e P
u
lse D
u
ration (sec)
v
e
E
e
z
m
r
N
t
e
n
a
T
e
c
n
a
d
e
p
m
I
m
r
h
T
1. D
u
ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 65 °C/
W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. S
u
rface Mo
u
nted
t
1
t
2
t
1
t
2
N
otes:
P
DM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7840BDP Si7840BDP vs. Si7840DP Specification Comparison
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參數(shù)描述
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SI7806DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 14.4A 3.8W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7808 制造商:SECOS 制造商全稱(chēng):SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator
SI7809 制造商:SECOS 制造商全稱(chēng):SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator
SI7810 制造商:SECOS 制造商全稱(chēng):SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator
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