參數(shù)資料
型號(hào)： SI7116DN
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET
中文描述： N通道40 - V（下局副局長(zhǎng)）快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： SI7116DN
Si7116DN
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 73139
S-51412—Rev. C, 01-Aug-05
10
–3
10
–2
1
10
600
10
–1
10
–4
100
0.01
0
1
40
50
10
600
Single Pulse Power, Juncion-to-Ambient
Time (sec)
30
20
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 65 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.1
10
100
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
– Temperature ( C)
Safe Operating Area
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
–
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
*Limited by r
DS(on)
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
V
– Drain-to-Source Voltage (V)
minimum V
GS
at which r
DS(on)
is
specified
*V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7116DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7116DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7117DNT1E3 制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free
SI7117DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 150V 2.17A 12.5W 1.2ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7117DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 2.17A 12.5W 1.2ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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