參數(shù)資料
型號： SI6562DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： N和P溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 72K
代理商： SI6562DQ
Si6562DQ
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70720
S-56944—Rev. B, 23-Nov-98
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 125 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
T
J
– Temperature ( C)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 4.5 A
I
D
= 250 A
V
V
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Time (sec)
P
40
32
24
16
8
0
0.01
0.1
1
10
30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6801DQ SPICE Device Model Si6801DQ
SI6802DQ N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si6820DQ N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6821DQ P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6876EDQ Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6562DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.5/3.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6562DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI65-680 制造商:DELTA 制造商全稱:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI65-680K 制造商:DELTA 制造商全稱:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
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