參數(shù)資料
型號： SI6802DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道，降低Qg和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： SI6802DQ
Si6802DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70188
S-49520—Rev. C, 18-Dec-96
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel, Reduced Q
g
, Fast Switching MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.075 @ V
GS
= 4.5 V
3.3
0.110 @ V
GS
= 3.0 V
2.7
D
G
S*
N-Channel MOSFET
Si6802DQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
*Source Pins 2, 3, 6, and 7
must be tied common.
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
3.3
A
T
A
= 70 C
2.6
Pulsed Drain Current
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.25
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.5
W
T
A
= 70 C
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
83
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si6820DQ N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
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SI6876EDQ Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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SI6803DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.5/2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI680M100 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI680M16 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI680M160 制造商:NTE Electronics 功能描述:
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