參數(shù)資料
型號(hào)： SI6802DQ
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道，降低Qg和，快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： SI6802DQ
Si6802DQ
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70188
S-49520—Rev. C, 18-Dec-96
P
0
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
0
2
4
6
8
–0.5
–0.3
–0.1
0.1
0.3
0.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
1
10
20
I
D
= 3.3 A
I
D
= 250 A
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
0
1
40
50
10
20
30
10
30
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 83 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
V
V
G
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
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PDF描述
Si6820DQ N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6821DQ P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6876EDQ Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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SI6803DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.5/2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI680M100 制造商:NTE 制造商全稱(chēng):NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI680M16 制造商:NTE 制造商全稱(chēng):NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI680M160 制造商:NTE Electronics 功能描述:
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