參數(shù)資料
型號(hào)： SI6802DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道，降低Qg和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： SI6802DQ
Si6802DQ
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-2
Document Number: 70188
S-49520—Rev. C, 18-Dec-96
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
0.6
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
12 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
1
A
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 70 C
25
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
5 V, V
GS
= 4.5 V
15
A
V
DS
5 V, V
GS
= 3.0 V
6
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 3.3 A
0.048
0.075
V
GS
= 3.0 V, I
D
= 2.7 A
0.067
0.110
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 3.3 A
10.3
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= 1.25 A, V
GS
= 0 V
0.7
1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
V
DS
= 6 V V
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 0.3 A
4 5 V I
0 3 A
4.5
9.0
Gate-Source Charge
Q
gs
1.0
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
0.7
Turn-On Delay Time
t
d(on)
V
= 6 ,
= 20
0 3 A V
0.3 A, V
GEN
= 4.5 V, R
G
= 6
8
20
Rise Time
t
r
I
D
4 5 V R
6
15
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
12
25
ns
Fall Time
t
f
16
30
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 1.25 A, di/dt = 100 A/ s
52
80
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
Guaranteed by design, not subject to production testing.
300 s, duty cycle
2%.
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PDF描述
Si6820DQ N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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SI6803DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.5/2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI680M100 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI680M16 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI680M160 制造商:NTE Electronics 功能描述:
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