參數(shù)資料
型號： SI6802DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道，降低Qg和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： SI6802DQ
Si6802DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70188
S-49520—Rev. C, 18-Dec-96
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
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8
12
16
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1
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1
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0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.06
0.12
0.18
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8
12
16
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300
600
900
1200
0
4
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12
16
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0
4
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12
16
20
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
= 4.5, 4, 3.5, 3 V
1.5 V
2 V
V
GS
= 3 V
I
D
= 0.3 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.3 A
C
rss
C
oss
C
iss
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
125 C
T
C
= –55 C
25 C
2.5 V
V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 4.5 V
6 V
8 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI6803DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.5/2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI680M100 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI680M16 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI680M160 制造商:NTE Electronics 功能描述:
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