參數(shù)資料
型號(hào)： SI6562DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： N和P溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： SI6562DQ
Si6562DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70720
S-56944—Rev. B, 23-Nov-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
N-Channel
20
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
4.5
0.040 @ V
GS
= 2.5 V
3.9
P-Channel
–20
0.050 @ V
GS
= –4.5 V
3.5
0.085 @ V
GS
= –2.5 V
2.7
Si6562DQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
–20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.5
3.5
A
T
A
= 70 C
3.6
2.7
Pulsed Drain Current
I
DM
30
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.25
–1.25
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.0
W
T
A
= 70 C
0.64
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
N- or P-Channel
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
125
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6801DQ SPICE Device Model Si6801DQ
SI6802DQ N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si6820DQ N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6821DQ P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6876EDQ Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6562DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.5/3.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6562DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.5/3.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6562DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI65-680 制造商:DELTA 制造商全稱:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI65-680K 制造商:DELTA 制造商全稱:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*