參數資料
型號： SI6542DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁數： 4/6頁
文件大小： 82K
代理商： SI6542DQ
Si6542DQ
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70171
S-00873—Rev. F, 01-May-00
–1.0
–0.5
0.0
0.5
1.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 2.5 A
I
D
= 250
μ
A
V
V
G
20
10
1.0
0.4
0.6
0.8
1.6
1.0
1.2
1.4
120
100
80
60
40
20
0
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 125 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
相關PDF資料
PDF描述
SI6562DQ N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6801DQ SPICE Device Model Si6801DQ
SI6802DQ N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si6820DQ N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6821DQ P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
相關代理商/技術參數
參數描述
SI6542DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.5/1.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6543DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6543DQ-T1 功能描述:MOSFET 30V 3.9/2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6543DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 3.9/2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6543DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*