參數(shù)資料
型號(hào)： SI6542DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 82K
代理商： SI6542DQ
Si6542DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70171
S-00873—Rev. F, 01-May-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0.5
1.0
1.5
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
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0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
5 V
6 V
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
T
C
= –55 C
25 C
125 C
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
C
rss
C
iss
C
oss
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
–
r
D
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
V
GS
= 10, 9 ,8 ,7 V
4 V
3 V
0
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6562DQ N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6801DQ SPICE Device Model Si6801DQ
SI6802DQ N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
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SI6821DQ P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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