參數(shù)資料
型號(hào)： SI6542DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 82K
代理商： SI6542DQ
Si6542DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70171
S-00873—Rev. F, 01-May-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
Dual N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
N-Channel
20
0.09 @ V
GS
= 10 V
2.5
0.175 @ V
GS
= 4.5 V
1.8
P-Channel
–20
0.17 @ V
GS
= –10 V
1.9
0.32 @ V
GS
= –4.5 V
1.3
Si6542DQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
D
1
G
1
S
N-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
–20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
20
Continuous Drain Current (T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
2.5
1.9
A
T
A
= 70 C
2.0
1.5
Pulsed Drain Current
I
DM
20
15
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.25
–1.25
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.0
W
T
A
= 70 C
0.64
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
N- or P-Channel
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
125
C/W
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6562DQ N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6801DQ SPICE Device Model Si6801DQ
SI6802DQ N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si6820DQ N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6821DQ P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6542DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.5/1.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6543DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6543DQ-T1 功能描述:MOSFET 30V 3.9/2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6543DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 3.9/2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6543DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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