參數(shù)資料
型號： Si6423DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： SI6423DQ
Si6423DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72257
S-31419—Rev. A, 07-Jul-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
1600
3200
4800
6400
8000
0
2
4
6
8
10
12
-
r
D
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
15
30
45
60
75
0.000
0.006
0.012
0.018
0.024
0.030
0
6
12
18
24
30
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
V
DS
= 6 V
I
D
= 9.5 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
1
2
3
4
5
T
J
= 25 C
I
D
= 9.5 A
30
10
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
C
oss
C
iss
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6542DQ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
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參數(shù)描述
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