參數(shù)資料
型號(hào)： Si6423DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 42K
代理商： SI6423DQ
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
APPLICATIONS
Load Switch
Si6423DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72257
S-31419—Rev. A, 07-Jul-03
www.vishay.com
1
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.0085 @ V
GS
= -4.5 V
-9.5
-12
0.0106 @ V
GS
= -2.5 V
-8.5
0.014 @ V
GS
= -1.8 V
-7.5
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
S*
G
D
P-Channel MOSFET
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
Ordering Information:
Si6423DQ
Si6423DQ-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-9.5
-8.2
T
A
= 70 C
-8
-6.5
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
-30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.35
-0.95
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.5
1.05
W
T
A
= 70 C
1.0
0.67
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
60
83
Steady State
100
120
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
35
45
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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