參數(shù)資料
型號： SI4884BDY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 128K
代理商： SI4884BDY
Si4884BDY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 73454
S–51450—Rev. A, 01-Aug-05
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
–
I
D
0.1
1 ms
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
dc
*Limited by r
DS(on)
V
– Drain-to-Source Voltage (V)
minimum V
GS
at which r
DS(on)
is
specified
*V
GS
1 s
10 s
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.0
1.2
0.001
10
50
0.00
0.2
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
–
I
S
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–0.9
–0.6
–0.3
0.0
0.3
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
T
J
– Temperature ( C)
0
0.001
60
100
20
40
P
Time (sec)
80
1
10
0.1
0.01
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
r
D
–
V
G
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
1
0.1
0.01
I
D
= 10 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4884BDY-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si4888DY N-Channel Reduced Qg, Fast-Switching MOSFET
SI4890DY N-Channel Reduced Qg; Fast-Switching MOSFET
SI4892DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si4894DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4884BDY-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4884BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 16.5A 4.45W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY 功能描述:MOSFET SO8 NCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
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