參數(shù)資料
型號： SI4892DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： SI4892DY
TrenchFET Power MOSFET
High Efficiency PWM Optimized
100% R
g
Tested
100% UIS Tested
RoHS
Si4892DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71407
S-51455—Rev. F, 01-Aug-05
www.vishay.com
1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.020 @ V
GS
= 4.5 V
12.4
9.6
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
G
S
Ordering Information:
Si4892DY-T1
Si4892DY-T1–E3 (Lead (Pb)–free)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current (T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
12.4
8.8
T
A
= 70 C
9.9
7.0
Pulsed Drain Current
I
DM
50
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.60
1.3
Avalanche Current
L = 0 1 mH
L = 0.1 mH
I
AS
20
Single-Pulse Avalanche Energy
E
AS
20
mJ
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.1
1.6
W
T
A
= 70 C
2.0
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient (MOSFET)
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
t
10 sec
R
thJA
34
40
Steady State
70
80
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
17
20
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
Si4894DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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SI4892DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 12.4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4892DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12.4A 3.1W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4894BDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
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