參數(shù)資料
型號(hào)： SI4892DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： SI4892DY
Si4892DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71407
S-51455—Rev. F, 01-Aug-05
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
– Temperature ( C)
10
–3
10
–2
1
10
600
10
–1
10
–4
100
0.01
0
1
50
20
30
10
600
0.1
Single Pulse Power
Time (sec)
10
40
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 70 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
–3
10
–2
1
10
10
–1
10
–4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
100
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PDF描述
Si4894DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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SI4892DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 12.4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4892DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12.4A 3.1W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4894BDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
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