參數(shù)資料
型號(hào)： SI1022R
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： SI1022R
Si1022R
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71331
S-03049
—
Rev. A, 05-Feb-01
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= 500 mA
I
D
= 200 mA
–
r
)
1.2
1.5
1
100
1000
0.00
0.3
0.6
0.9
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
10
T
J
=
–
55 C
V
GS
= 0 V
0.01
0
1
2.5
3
100
600
0.1
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
Threshold Voltage Variance Over Temperature
0.4
V
V
–
0.8
–
0.6
–
0.4
–
0.2
–
0.0
0.2
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
T
J
–
Junction Temperature ( C)
1.5
2
0.5
1
10
T
A
= 25 C
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 500 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1023X Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1024X Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1025X P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI1029X Complementary N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI1031R P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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參數(shù)描述
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SI1022R-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 0.33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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