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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512NE0BFWZZ3 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96 |
| 封裝： | 9 X 12 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件頁數(shù)： | 137/142頁 |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NE0BFWZZ3 |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
128Mb pSRAM
137
P r e l i m i n a r y
TIMING DIAGRAMS (Continued)
Synchronous Write to Read Timing #2 (ADV# Control)
Note:
This timing diagram assumes CE2=H, the valid clock edge on rising edge and BL=8 or 16.
D
BL
ADDRESS
ADV#
DQ
WE#
OE#
LB#, UB#
CLK
Valid
CE#1
t
ASVL
t
AHV
t
VPL
WAIT#
Low
t
VSCK
RL=5
t
CKWH
D
BL-1
t
DHCK
t
DHCK
t
DSCK
t
DSCK
Q
1
Q
2
t
AC
t
CKQX
t
AC
t
CKQX
t
CKTV
t
OLTL
t
OLZ
t
OLQ
t
WRB
t
BLQ
t
CKBH
t
CKTX
t
WHTZ
High-Z
t
CKVH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512NA0BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512P | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Migrating from the S71WS512N to the S71WS512P |
| S71WS512PC0HF3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
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