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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512NE0BFWZZ3 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96 |
| 封裝： | 9 X 12 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件頁數(shù)： | 105/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NE0BFWZZ3 |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
128Mb pSRAM
105
P r e l i m i n a r y
Write Control
The device has two type of WE# signal control method, "WE# Level Control" and
"WE# Single Clock Pulse Control", for synchronous write operation. It is configured
through CR set sequence.
ADDRESS
ADV#
CLK
Valid
0
1
2
3
4
5
CE#1
WE#
6
D1
D2
RL=5
D3
DQ [In]
WAIT#
D4
WE#
D1
DQ2
D3
DQ [In]
WAIT#
D4
High-Z
t
WLD
High-Z
t
WSCK
t
CKWH
t
WLTH
t
WLTH
WE# Level Control
WE# Single Clock Pulse Control
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512NA0BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512P | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Migrating from the S71WS512N to the S71WS512P |
| S71WS512PC0HF3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
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