- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄365451 > S71WS512NE0BFWZZ3 (SPANSION LLC) Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512NE0BFWZZ3 |
| 廠(chǎng)商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96 |
| 封裝： | 9 X 12 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/142頁(yè) |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NE0BFWZZ3 |
當(dāng)前第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)
Publication Number
S71WS512NE0BFWZZ_00
Revision
A
Amendment
1
Issue Date
June 28, 2004
ADVANCE
INFORMATION
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS
MCP Features
Operating Voltage Range of 1.65 to 1.95 V
High Performance
— Speed: 54MHz
Packages
— 96-ball FBGA—9 x 12 mm
Operating Temperatures
— Wireless: –25°C to +85°C
GENERAL DESCRIPTION
The S71WS512 Series is a product line of stacked Multi-Chip
Products (MCP) and consists of
One or more S29WS256N
(Simultaneous Operation, Burst Mode) Flash Die
pSRAM options
— 128Mb pSRAM
The products covered by this document are listed below. For
details about their specifications, please refer to the individual
constituent data sheets for further details.
MCP
Number of S29WSxxxN
Total Flash Density
pSRAM Density
S71WS512NE0
2
512Mb
256Mb
Notes:
1. This MCP is only guaranteed to operate @ 1.65 - 1.95 V regardless of component operating ranges.
S71WS512NE0BFWZZ
Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory
and pSRAM CMOS 1.8 Volt,
Simultaneous Operation, Burst Mode Flash Memory
and Pseudo-Static RAM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512NA0BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512P | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:Migrating from the S71WS512N to the S71WS512P |
| S71WS512PC0HF3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。