- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365451 > S71WS512NE0BFWZZ0 (SPANSION LLC) Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512NE0BFWZZ0 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96 |
| 封裝： | 9 X 12 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件頁數(shù)： | 87/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NE0BFWZZ0 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁當(dāng)前第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁
June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
87
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, VA = Valid Address for reading status bits.
2. “In progress” and “complete” refer to status of program operation.
3. A23–A14 for the WS256N are don’t care during command sequence unlock cycles.
4. CLK can be either V
IL
or V
IH
.
5. The Asynchronous programming operation is independent of the Set Device Read Mode bit in the
Configuration Register.
Figure 21. Asynchronous Program Operation Timings: WE# Latched Addresses
OE#
CE#
Data
Addresses
AVD
WE#
CLK
VCC
555h
PD
tAS
tAVS
tAVH
tA
tWC
tWPH
PA
tVC
tW
tD
tC
In
Progress
tWHWH1
VA
Complete
VA
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
tDS
VIH
VIL
tAVD
A0h
tCS
tCA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512P | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Migrating from the S71WS512N to the S71WS512P |
| S71WS512PC0HF3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。