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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512NE0BFWZZ0 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96 |
| 封裝： | 9 X 12 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件頁數(shù)： | 116/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NE0BFWZZ0 |
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116
128Mb pSRAM
S71WS512NE0BFWZZ_00_A1 June 28, 2004
P r e l i m i n a r y
AC CHARACTERISTICS (Continued)
AC TEST CONDITIONS
AC MEASUREMENT OUTPUT LOAD CIRCUIT
Symbol
Description
Test Setup
Value
Unit
Note
V
IH
Input High Level
V
IOPS
* 0.8
V
V
IL
Input Low Level
V
IOPS
* 0.2
V
V
REF
Input Timing Measurement Level
V
IOPS
* 0.5
V
t
T
Input Transition
Time
Async.
Between V
IL
and V
IH
5
ns
Sync.
3
ns
DEVICE
UNDER
TEST
V
CCPS
V
DDQ
*0.5V
V
SS
V
CCPS
OUT
0.1
μ
F
50pF
50ohm
V
SS
0.1
μ
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512P | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Migrating from the S71WS512N to the S71WS512P |
| S71WS512PC0HF3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
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