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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512NE0BFWZZ0 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96 |
| 封裝： | 9 X 12 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件頁數(shù)： | 83/142頁 |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NE0BFWZZ0 |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
83
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Notes:
1. Figure shows total number of wait states set to seven cycles. The total number of wait states can be
programmed from two cycles to seven cycles. Clock is set for active rising edge.
2. If any burst address occurs at “address + 1”, “address + 2”, or “address + 3”, additional clock delay cycles
are inserted, and are indicated by RDY.
3. The device is in asynchronous mode with out wrap around.
4. DQ–DQ7 in data waveform indicate the order of data within a given 8-word address range, from lowest to
highest. Starting address in figure is the 4th address in range (AC).
Figure 16. Eight-word Linear Burst without Wrap Around
Notes:
1. Figure assumes 6 wait states for initial access and synchronous read.
2. The Set Configuration Register command sequence has been written with CR8=0; device will output RDY one
cycle before valid data.
Figure 17. Linear Burst with RDY Set One Cycle Before Data
DC
DD
OE#
Data
Addresses
AC
AVD#
RDY
CLK
CE#
tCES
tACS
tAVC
tAVD
tACH
tOE
tIACC
tBDH
DE
DF
D13
7 cycles for initial access shown.
Hi-Z
tRACC
1
2
3
4
5
6
7
tRDYS
tBACC
tCR
D10
tRACC
Da+1
tBDH
Da
Da+2
Da+3
Da + n
OE#
Data
Addresses
Aa
AVD#
RDY
CLK
CE#
tCES
tACS
tAVC
tAVD
tACH
tOE
tRACC
tOEZ
tCEZ
tIACC
6 wait cycles for initial access shown.
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
1
2
3
4
5
6
tRDYS
tBACC
tCR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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