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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512NA0BFWZZ2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 66/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NA0BFWZZ2 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁當(dāng)前第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁
66
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
S71WS512NE0BFWZZ_00_ A1 June 28, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Command Definition Summary
Command Sequence
(Note 1)
C
Bus Cycles (Notes
1
–
6
)
Third
Fourth
Addr
Data
Addr
First
Second
Addr
Fifth
Sixth
Seventh
Addr
Addr
RA
XXX
Data
RD
F0
Data
Data
Addr
Data
Addr
Data
Data
Asynchronous Read
(Note 7)
Reset
(Note 8)
1
1
A
(
Manufacturer ID
4
555
AA
2AA
55
(BA)
555
(BA)
555
90
(BA)
X00
(BA)
X01
0001
Device ID
(Note 10)
6
555
AA
2AA
55
90
227E
(BA)
X0E
(Note
10)
(BA)
X0F
2200
Indicator Bits
4
555
AA
2AA
55
(BA)
555
90
(BA)
X03
(Note
12)
Program
Write to Buffer
(Note 18)
Program Buffer to Flash
Write to Buffer Abort Reset
(Note
22)
Chip Erase
Sector Erase
Erase/Program Suspend
(Note 15)
Erase/Program Resume
(Note 16)
Set Configuration Register
Read Configuration Register
4
6
1
555
555
SA
AA
AA
29
2AA
2AA
55
55
555
PA
A0
25
PA
PA
Data
WC
PA
PD
WBL
PD
3
555
AA
2AA
55
555
F0
6
6
1
1
4
4
555
555
BA
BA
555
555
(BA)
555
AA
AA
B0
30
AA
AA
2AA
2AA
55
55
555
555
80
80
555
555
AA
AA
2AA
2AA
55
55
555
SA
10
30
2AA
2AA
55
55
555
555
D0
C6
X00
X00
CR
CR
CFI Query (Note 18)
1
98
U
Unlock Bypass Entry
(Note
24)
Unlock Bypass Program
(Notes
13
,
14
)
Unlock Bypass Sector
Erase (Notes
13
,
14
)
Unlock Bypass Erase
(Notes
13
,
14
)
Unlock Bypass CFI (Notes
13
,
14
)
Unlock Bypass Reset
3
555
AA
2AA
55
555
20
2
XX
A0
PA
PD
2
XX
80
SA
30
2
XX
80
XXX
10
1
XX
98
2
XX
90
XXX
00
SecSi Sector Command Definitions
S
SecSi Sector Entry
(Note
23)
SecSi Sector Program
SecSi Sector Read
SecSi Sector Exit
(Note 26)
3
555
AA
2AA
55
555
88
6
1
4
555
00
555
AA
data
AA
2AA
55
SA
25
SA
WC
PA
PD
WBL
PD
2AA
55
555
90
XX
00
Lock Register Command Set Definitions
L
Lock Register Command
Set Entry
(Note 23)
3
555
AA
2AA
55
555
40
Lock Register Bits Program
(Note 25)
2
XX
A0
77
(Note
25)
data
Lock Register Bits Read
(Note 25)
1
77
(Note
25)
data
Lock Register Command
Set Exit
(Note 26)
2
XX
90
XX
00
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAEZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S71WS512NB0BAIZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
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