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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512NA0BFWZZ2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 115/142頁 |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NA0BFWZZ2 |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
128Mb pSRAM
115
P r e l i m i n a r y
AC CHARACTERISTICS (Continued)
POWER DOWN PARAMETERS
Notes
*1: Applicable also to power-up.
*2: Applicable when Partial mode is set.
OTHER TIMING PARAMETERS
Notes
*1: Some data might be written into any address location if t
CHWX
(min) is not satisfied.
*2: Except for clock input transition time.
*3: The Input Transition Time (t
T
) at AC testing is shown in below. If actual t
T
is longer than specified values,
it may violate AC specification of some timing parameters.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Min.
Max.
CE2 Low Setup Time for Power Down Entry
t
CSP
20
—
ns
*1
CE2 Low Hold Time after Power Down Entry
t
C2LP
70
—
ns
*1
CE#1 High Hold Time following CE2 High
after Power Down Exit [SLEEP mode only]
t
CHH
300
—
μ
s
*1
CE#1 High Hold Time following CE2 High
after Power Down Exit [not in SLEEP mode]
t
CHHP
1
—
μ
s
*2
CE#1 High Setup Time following CE2 High
after Power Down Exit
t
CHS
0
—
μ
s
*1
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Min.
Max.
CE#1 High to OE# Invalid Time for Standby Entry
t
CHOX
10
—
ns
CE#1 High to WE# Invalid Time for Standby Entry
t
CHWX
10
—
ns
*1
CE2 High Hold Time after Power-up
t
C2HL
50
—
μ
s
CE#1 High Hold Time following CE2 High after Power-up
t
CHH
300
—
μ
s
Input Transition Time (except for CLK)
t
T
1
25
μ
s
*2, *3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAEZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512NA0BFWZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NB0BAEZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NB0BAEZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NB0BAEZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NB0BAIZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
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