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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512N80BAEZZ2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 92/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAEZZ2 |
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92
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
S71WS512NE0BFWZZ_00_ A1 June 28, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Wait State Configuration Register Setup:
DQ13, DQ12, DQ11 = “111”
Reserved
DQ13, DQ12, DQ11 = “110”
Reserved
DQ13, DQ12, DQ11 = “101”
5 programmed, 7 total
DQ13, DQ12, DQ11 = “100”
4 programmed, 6 total
DQ13, DQ12, DQ11 = “011”
3 programmed, 5 total
DQ13, DQ12, DQ11 = “010”
2 programmed, 4 total
DQ13, DQ12, DQ11 = “001”
1 programmed, 3 total
DQ13, DQ12, DQ11 = “000”
0 programmed, 2 total
Note:
Figure assumes address DQ0 is not at an address boundary, active clock edge is rising, and wait state is set to
“101”.
Figure 30. Example of Wait States Insertion
Note:
Breakpoints in waveforms indicate that system may alternately read array data from the “non-busy bank” while
checking the status of the program or erase operation in the “busy” bank. The system should read status twice to ensure
valid information.
Figure 31. Back-to-Back Read/Write Cycle Timings
Data
AVD#
OE#
CLK
1
2
3
4
5
D0
D1
0
1
6
2
7
3
total number of clock cycles
following addresses being latched
Rising edge of next clock cycle
following last wait state triggers
next burst data
number of clock cycles
programmed
4
5
OE#
CE#
WE#
tOEH
Data
Addresses
AVD#
PD/30h
AAh
RA
PA/SA
tWC
tDS
tD
tRC
tRC
tOE
tOEH
tAS
tAH
tACC
tW
tGHWL
tOEZ
tWC
tSR/
Last Cycle in
Program or
Sector Erase
Command Sequence
Read status (at least two cycles) in same bank
and/or array data from other bank
Begin another
write or program
command sequence
RD
RA
555h
RD
tWP
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PDF描述 |
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