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參數資料
| 型號： | S71WS512N80BAEZZ2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數： | 86/142頁 |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAEZZ2 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁當前第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁
86
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
S71WS512NE0BFWZZ_00_ A1 June 28, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Erase/Program Operations @ V
IO
= 1.8 V
Parameter
Notes:
1. Not 100% tested.
2. Asynchronous read mode allows Asynchronous program operation only. Synchronous read mode allows both
Asynchronous and Synchronous program operation.
3. In asynchronous program operation timing, addresses are latched on the falling edge of WE#. In synchronous
program operation timing, addresses are latched on the active edge of CLK or rising edge of AVD#.
4. See the
“Erase and Programming Performance”
section for more information.
5. Does not include the preprogramming time.
Description
54 MHz
70
5
66 MHz
70
4
0
6
Unit
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
Standard
t
WC
Write Cycle Time
(Note 1)
Min
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time (Notes
2
,
3
)
Synchronous
Asynchronous
Synchronous
Asynchronous
Min
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time (Notes
2
,
3
)
Min
7
ns
20
t
AVDP
t
DS
t
DH
t
GHWL
t
CAS
t
CH
t
WP
t
WPH
t
SR/W
t
WHWH1
t
WHWH1
AVD# Low Time
Data Setup Time
Data Hold Time
Read Recovery Time Before Write
CE# Setup Time to AVD#
CE# Hold Time
Write Pulse Width
Write Pulse Width High
Latency Between Read and Write Operations
Programming Operation
(Note 4)
Accelerated Programming Operation
(Note 4)
Sector Erase Operation (Notes
4
,
5
)
Chip Erase Operation (Notes
4
,
5
)
V
ACC
Rise and Fall Time
V
ACC
Setup Time (During Accelerated Programming)
V
CC
Setup Time
CE# Setup Time to WE#
AVD# Setup Time to WE#
AVD# Hold Time to WE#
AVD# Setup Time to CLK
AVD# Hold Time to CLK
Clock Setup Time to WE#
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Typ
Typ
12
45
10
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
t
DVWH
t
WHDX
t
GHWL
0
0
0
0
t
WHEH
t
WLWH
t
WHWL
30
25
20
0
<9.4
<4
0.4
t
WHWH1
t
WHWH1
t
WHWH2
t
WHWH2
Typ
sec
<104 (WS256N)
500
1
50
5
5
5
5
5
5
t
VID
t
VIDS
t
VCS
t
CS
t
AVSW
t
AVHW
t
AVSC
t
AVHC
t
CSW
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
ns
μs
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
ELWL
4
4
4
4
4
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PDF描述 |
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參數描述 |
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