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參數資料
| 型號： | S71WS512N80BAEZZ2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產品（MCP）的閃存和移動存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數： | 107/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAEZZ2 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁當前第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁
June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
128Mb pSRAM
107
P r e l i m i n a r y
FUNCTIONAL DESCRIPTION (Continued)
Burst Read Termination
Burst read operation can be terminated by CE#1 brought to High. If BL is set on
Continuous, burst read operation is continued endless unless terminated by
CE#1=H. It is inhibited to terminate burst read before first data out is completed.
In order to guarantee last data output, the specified minimum value of CE#1=L
hold time from clock edge must be satisfied. After termination, the specified
minimum recovery time is required to start new access.
Burst Write Termination
Burst write operation can be terminated by CE#1 brought to High. If BL is set on
Continuous, burst write operation is continued endless unless terminated by
CE#1=H. It is inhibited to terminate burst write before first data in is completed.
In order to guarantee last write data being latched, the specified minimum values
of CE#1=L hold time from clock edge must be satisfied. After termination, the
specified minimum recovery time is required to start new access.
ADDRESS
ADV#
DQ
OE#
CLK
Valid
CE#1
WAIT#
Q
1
Q
2
t
OHZ
t
AC
t
CKQX
t
CKCLH
t
TRB
t
CKOH
t
CHZ
High-Z
ADDRESS
ADV#
DQ
WE#
CLK
Valid
CE#1
WAIT#
t
CKCLH
t
TRB
t
CKWH
t
CHZ
High-Z
D
2
D
1
t
DHCK
t
DHCK
t
D-
t
D-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAEZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
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