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參數(shù)資料
| 型號： | S70WS512N00BFWAB3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| 中文描述： | 同硅晶片堆疊多芯片產品（MCP）的512兆位（32兆× 16位）的CMOS 1.8伏，只有同時讀/寫，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 83/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 846K |
| 代理商： | S70WS512N00BFWAB3 |
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S70WS512N00 Based MCPs
S70WS512N00_00_A0 March 14, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
12.8.8
BGA Ball Capacitance
Notes:
1.
2.
3.
Sampled, not 100% tested.
Test conditions T
A
= 25
°
C; f = 1.0 MHz.
The content in this document is Advance information for the S29WS064N and S29WS128N. Content in this document
is Preliminary for the S29W256N.
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
5.3
6.3
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
5.8
6.8
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
6.3
7.3
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| S71AL016D | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71AL016D02 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71AL016D02-B7 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| S71AL016D02BAWBF0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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