- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365431 > S70WS512N00BFWAB3 (Spansion Inc.) Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S70WS512N00BFWAB3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Same-Die Stacked Multi-Chip Product (MCP) 512 Megabit (32M x 16 bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Flash Memory |
| 中文描述： | 同硅晶片堆疊多芯片產(chǎn)品（MCP）的512兆位（32兆× 16位）的CMOS 1.8伏，只有同時讀/寫，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 49/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 846K |
| 代理商： | S70WS512N00BFWAB3 |
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S70WS512N00 Based MCPs
S70WS512N00_00_A0 March 14, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
If the program command sequence is written to a bank that is in the Erase Suspend mode,
writing the reset command returns that bank to the erase-suspend-read mode.
The reset command may be also written during an Autoselect command sequence.
If a bank has entered the Autoselect mode while in the Erase Suspend mode, writing the reset
command returns that bank to the erase-suspend-read mode.
If DQ1 goes high during a Write Buffer Programming operation, the system must write the
Write to Buffer Abort Reset
command sequence to RESET the device to reading array data.
The standard RESET command does not work during this condition.
To exit the unlock bypass mode, the system must issue a two-cycle unlock bypass reset com-
mand sequence [see command table for details].
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| S70YR | 功能描述:整流器 1600V 70A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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