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參數(shù)資料
| 型號： | S29PL129J |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | 3.0伏的CMOS只，同步讀/寫閃存與增強(qiáng)VersatileIO控制記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 94/106頁 |
| 文件大小： | 1997K |
| 代理商： | S29PL129J |
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92
S29PL127J/S29PL129J/S29PL064J/S29PL032J
31107A62 April 7, 2005
P R E L I M I N A R Y
Protect/Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Note:
Note:
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE#
or CE# to toggle DQ2 and DQ6.
Figure 20.
DQ2 vs. DQ6
Table 30.
Temporary Sector Unprotect
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
VHH
V
HH
Rise and Fall Time (See Note)
Min
250
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
t
RRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for
Temporary Sector Unprotect
Min
4
μs
Figure 21.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
RESET#
t
VIDR
V
ID
V
IL
or V
IH
V
ID
V
IL
or V
IH
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
t
RRB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29PL064J | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S29PL129N65FAI002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:256/128/128 Mb (16/8/8 M x 16-Bit) CMOS, 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write, Page-Mode Flash Memory |
| S29PL129N65FAI003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:256/128/128 Mb (16/8/8 M x 16-Bit) CMOS, 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write, Page-Mode Flash Memory |
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