參數(shù)資料
型號： PZT65
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
中文描述： 大電流NPN硅晶體管表面貼裝
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： PZT65
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
TO–261AA
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
H
S
F
A
B
D
G
L
4
1
2
3
0.08 (0003)
C
M
K
J
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
MIN
0.249
0.130
0.060
0.024
0.115
0.087
0.0008
0.009
0.060
0.033
MAX
0.263
0.145
0.068
0.035
0.126
0.094
0.0040
0.014
0.078
0.041
10
0.287
MIN
6.30
3.30
1.50
0.60
2.90
2.20
0.020
0.24
1.50
0.85
MAX
6.70
3.70
1.75
0.89
3.20
2.40
0.100
0.35
2.00
1.05
10
7.30
MILLIMETERS
INCHES
0
0
0.264
6.70
CASE 318E–04
ISSUE H
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZT651T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA
PZT751T1 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(硅PNP平面外延晶體管)
PZT751T1G PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
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PZTA42T1 High Voltage Transistor Surface Mount NPN Silicon(NPN型,表面安裝，高壓晶體管)
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參數(shù)描述
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PZT651T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT651T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT651T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT651T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA
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