| 型號: | PZT651T1 |
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor(NPN型外延晶體管) |
| 中文描述: | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
| 封裝: | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件頁數(shù): | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商: | PZT651T1 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PZT65 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
| PZT651T3 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA |
| PZT751T1 | PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(硅PNP平面外延晶體管) |
| PZT751T1G | PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor |
| PZT751T1 | SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PZT651T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor |
| PZT651T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PZT651T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA |
| PZT669A | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Epitaxial Planar Transistor |
| PZT6718 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Epitaxial Planar Transistor |