參數(shù)資料
型號(hào)： PSMN010-55D
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel logic level TrenchMOS transistor(N溝道邏輯電平 TrenchMOS晶體管)
中文描述： 75 A, 55 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： PSMN010-55D
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel logic level TrenchMOS
transistor
PSMN010-55D
FEATURES
SYMBOL
QUICK REFERENCE DATA
’Trench’
technology
Very low on-state resistance
Fast switching
Logic level compatible
V
DSS
= 55 V
I
D
= 75 A
R
DS(ON)
≤
10.5 m
(V
GS
= 10 V)
R
DS(ON)
≤
12 m
(V
GS
= 5 V)
GENERAL DESCRIPTION
PINNING
SOT428 (DPAK)
SiliconMAX
productsusethelatest
Philips
Trench
achieve
the
lowest
on-state
resistance
package at each voltage rating.
PIN
DESCRIPTION
technology
to
possible
in
1
gate
each
2
drain
1
Applications:-
d.c. to d.c. converters
switched mode power supplies
3
source
tab
drain
The PSMN010-55D is supplied in
the
SOT428
mounting package.
(Dpak)
surface
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
V
DSS
Drain-source voltage
V
DGR
Drain-gate voltage
V
GS
Continuous gate-source
voltage
V
GSM
Peak pulsed gate-source
voltage
I
D
Continuous drain current
CONDITIONS
T
j
= 25 C to 175C
T
j
= 25 C to 175C; R
GS
= 20 k
MIN.
-
-
-
MAX.
55
55
±
15
UNIT
V
V
V
T
j
≤
150 C
-
±
20
V
T
mb
= 25 C; V
GS
= 5 V
T
mb
= 100 C; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
-
-
-
75
2
57
240
125
175
A
A
A
W
C
I
DM
P
D
T
j
, T
stg
Pulsed drain current
Total power dissipation
Operating junction and
storage temperature
- 55
d
g
s
1
2
3
tab
1
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package.
2
Continuous current rating limited by package.
October 1999
1
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSMN020-150W N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS晶體管)
PSMN038 N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN040-200W N-channel TrenchMOS transistor
PSMS05 STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
PSMS05C STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSMN010-55D /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN010-55D,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN010-80YLX 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:84A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:44.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6506pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:194W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
PSMN011-30YL,115 功能描述:MOSFET N-Ch 30V Trench MOS logic level FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN011-30YLC 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 37A LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 37A, LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 37A, LFPAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain C
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