- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄368307 > PSMN010-55D (NXP SEMICONDUCTORS) N-channel logic level TrenchMOS transistor(N溝道邏輯電平 TrenchMOS晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PSMN010-55D |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel logic level TrenchMOS transistor(N溝道邏輯電平 TrenchMOS晶體管) |
| 中文描述： | 75 A, 55 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | PSMN010-55D |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel logic level TrenchMOS
transistor
PSMN010-55D
MECHANICAL DATA
Fig.16. SOT428 surface mounting package. Centre pin connected to mounting base.
Notes
1. This product is supplied in anti-static packaging. The gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
2. Refer to SMD Footprint Design and Soldering Guidelines, Data Handbook SC18.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT428
98-04-07
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT428
E
b2
D1
w
A
M
b
c
b1
L1
L
1
3
2
D
E1
HE
L2
Note
1. Measured from heatsink back to lead.
e1
e
A
A2
A
A1
y
seating plane
mounting
base
A1
(1)
D
max.
b
D1
max.
mE
HE
max.
w
my
A2
b2
b1
max.
c
E1
min.
e
e1
L1
min.
L2
L
A
max.
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.2
0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.89
0.71
0.89
1.1
0.9
5.36
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.7
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
October 1999
7
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PSMN020-150W | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS晶體管) |
| PSMN038 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PSMN040-200W | N-channel TrenchMOS transistor |
| PSMS05 | STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY |
| PSMS05C | STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PSMN010-55D /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PSMN010-55D,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PSMN010-80YLX | 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:84A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:44.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6506pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:194W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| PSMN011-30YL,115 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30V Trench MOS logic level FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PSMN011-30YLC | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 37A LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 37A, LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 37A, LFPAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain C |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。