參數(shù)資料
型號(hào)： PSMN020-150W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS晶體管)
中文描述： 73 A, 150 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： PLASTIC, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 120K
代理商： PSMN020-150W
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PSMN020-150W
FEATURES
SYMBOL
QUICK REFERENCE DATA
’Trench’
technology
Very low on-state resistance
Fast switching
Low thermal resistance
V
DSS
= 150 V
I
D
= 73 A
R
DS(ON)
≤
20 m
GENERAL DESCRIPTION
PINNING
SOT429 (TO247)
SiliconMAX
productsusethelatest
Philips
Trench
achieve
the
lowest
on-state
resistance
package at each voltage rating.
PIN
DESCRIPTION
technology
to
possible
in
1
gate
each
2
drain
Applications:-
d.c. to d.c. converters
switched mode power supplies
3
source
tab
drain
The PSMN020-150W is supplied in
the SOT429 (TO247) conventional
leaded package.
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
V
DSS
Drain-source voltage
V
DGR
Drain-gate voltage
V
GS
Gate-source voltage
I
D
Continuous drain current
CONDITIONS
T
j
= 25 C to 175C
T
j
= 25 C to 175C; R
GS
= 20 k
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
150
150
±
20
73
51
290
300
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
I
DM
P
D
T
j
, T
stg
Pulsed drain current
Total power dissipation
Operating junction and
storage temperature
AVALANCHE ENERGY LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
E
AS
Non-repetitive avalanche
energy
CONDITIONS
Unclamped inductive load, I
= 73 A;
t
p
= 100
μ
s; T
j
prior to avalanche = 25C;
V
≤
25 V; R
GS
= 50
; V
GS
= 5 V; refer to
fig:15
MIN.
-
MAX.
707
UNIT
mJ
I
AS
Non-repetitive avalanche
current
-
73
A
d
g
s
2
3
1
November 1999
1
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSMN038 N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN040-200W N-channel TrenchMOS transistor
PSMS05 STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
PSMS05C STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
PSMS12 STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSMN020-150W,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN020-30MLC 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPA
PSMN020-30MLC,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
PSMN020-30MLCX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PSMN020-30MLC/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK33
PSMN021-100YLX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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