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參數(shù)資料
| 型號： | PSMN020-150W |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS晶體管) |
| 中文描述： | 73 A, 150 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 120K |
| 代理商： | PSMN020-150W |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PSMN020-150W
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
)
Fig.8. Typical transconductance, T
j
= 25 C
g
fs
= f(I
D
)
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
)
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
Gate-source voltage, VGS (V)
Drain current, ID (A)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
175 C
Threshold Voltage, VGS(TO) (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
Junction Temperature, Tj (C)
typical
maximum
minimum
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Drain current, ID (A)
Transconductance, gfs (S)
Tj = 25 C
175 C
VDS > ID X RDS(ON)
Drain current, ID (A)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Gate-source voltage, VGS (V)
minimum
typical
maximum
Normalised On-state Resistance
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
2.7
2.9
-60
-40
-20
0
Junction temperature, Tj (C)
20
40
60
80
100 120 140 160 180
100
1000
10000
100000
0.1
1
Drain-Source Voltage, VDS (V)
10
100
1000
Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
November 1999
4
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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