參數(shù)資料
型號(hào): PSMN010-55D
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel logic level TrenchMOS transistor(N溝道邏輯電平 TrenchMOS晶體管)
中文描述: 75 A, 55 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商: PSMN010-55D
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel logic level TrenchMOS
transistor
PSMN010-55D
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.17. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
October 1999
8
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PSMS05C STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
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參數(shù)描述
PSMN010-55D /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN010-55D,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN010-80YLX 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):84A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):44.2nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6506pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):194W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
PSMN011-30YL,115 功能描述:MOSFET N-Ch 30V Trench MOS logic level FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN011-30YLC 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 37A LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 37A, LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 37A, LFPAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain C