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參數(shù)資料
| 型號： | PNZ3112 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | PIN Photodiode |
| 中文描述： | PIN PHOTO DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | PNZ3112 |
2
PNZ3112
PIN Photodiodes
V
R
= 1V
I
D
— Ta
Ambient temperature Ta (C )
D
D
– 40
20
60
100
– 20
0
40
80
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
–4
10
10
2
I
L
— Ta
160
140
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature Ta (C )
R
L
– 20
0
20
60
80
40
100
0
– 40
R
= 1V
V
C
t
— V
R
10
3
10
2
10
1
Reverse voltage V
R
(V)
C
t
1
10
10
2
10
–1
10
–1
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
700
800
900
1000
1100
1200
0
600
V
= 1V
Ta = 25C
P
D
— Ta
P
D
40
30
20
10
Ambient temperature Ta (C )
0
20
40
60
80
100
0
– 30
I
L
— L
10
3
10
2
10
1
Illuminance L (lx)
P
L
μ
A
10
3
10
4
10
5
10
–1
10
2
V
= 1V
Ta = 25C
T = 2856K
I
D
— V
R
240
200
160
120
80
40
Reverse voltage V
R
(V)
Ta = 25C
D
D
0
32
8
16
24
0
R
S
— Ta
R
S
)
320
240
160
80
Ambient temperature Ta (C )
0
20
40
60
80
100
0
– 40 – 20
t
r
, t
f
— R
L
External load resistance R
L
(k
)
R
r
f
μ
s
10
3
10
2
10
10
10
2
10
3
10
–1
10
–1
1
10
–2
1
Ta = 25C
10%
t
f
90%
t
d
t
r
R
L
V
a
Sig.
OUT
50
Sig.IN
V
R
= 1V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PNZ312D | Dual Division Silicon PIN Photodiode |
| PNZ313 | PIN Photodiode |
| PNZ313B | PIN Photodiode |
| PNZ323B | PIN Photodiode |
| PNZ323 | Silicon planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PNZ312D | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Dual Division Silicon PIN Photodiode |
| PNZ312DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Opto-Electronic Device - Photo Detectors - PIN Photodiodes |
| PNZ313 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:PIN Photodiode |
| PNZ313(PN313) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Opto-Electronic Device - Photo Detectors - PIN Photodiodes |
| PNZ313B | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:PIN Photodiode |
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