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參數(shù)資料
| 型號： | PNZ323 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | Silicon planar type |
| 中文描述： | PIN PHOTO DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, LSRLR102NC-001, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | PNZ323 |
PIN Photodiodes
PNZ323
(PN323)
Silicon planar type
1
Publication date: April 2004
SHE00036BED
For optical control systems
■
Features
Fast response which is well suited to high speed modulated light
detection: t
r
, t
f
=
50 ns (typ.)
High sensitivity, high reliability
Peak emission wavelength matched with infrared light emitting
diodes:
λ
p
=
900 nm (typ.)
Wide detection area, wide half-power angle:
θ
=
70
°
(typ.)
Adoption of visible light cutoff resin
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse
voltage
V
R
30
V
Power dissipation
P
D
100
mW
Operating ambient temperature
T
opr
T
stg
30 to
+
85
40 to
+
100
°
C
°
C
Storage temperature
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Dark current
Photocurrent
*1
Sensitivity to infrared radiation
*2
I
D
I
L
V
R
=
10 V
V
R
=
10 V, L
=
1
000 lx
V
R
=
5 V, H
=
0.1 mW/cm
2
V
R
=
10 V
V
R
=
10 V, R
L
=
1 k
5
50
nA
55
μ
A
μ
A
S
IR
λ
p
t
r
4.5
6.0
Peak emission wavelength
Rise time
*2
Fall time
*2
Rise time
*2
Fall time
*2
900
nm
50
ns
t
f
50
ns
t
r
t
f
V
R
=
10 V, R
L
=
100 k
5
μ
s
μ
s
5
Terminal capacitance
C
t
θ
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
The angle from which photocurrent
becomes 50%
70
pF
°
Half-power angle
70
■
Electrical-Optical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.
3. This device is designed be disregarded radiation.
4.*1: Source: Tungsten (color temperature 2
856 K)
*2: Source: Infrared radiation (
λ
=
940 nm)
*3: Switching time measurement circuit
Sig. in
V
R
(Input pulse)
Unit: mm
1: Anode
2: Cathode
LSRLR102NC-001 Package
(2.3)
Chip
4.6
±0.2
N
(
(
(
7
±
5
±
6
±
3
±
1
±
2
±
(
0.5
(1.32)
(2.54)
1
2
3
±
(
0
±
(2-0.6
±0.1
)
50
λ
P
=
900 nm
t
r
: Rise time
t
f
:
Fall time
R
L
Sig. out
(Output pulse)
10%
90%
t
r
t
f
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN323 | Silicon planar type |
| PNZ327 | PIN Photodiode |
| PNZ330CL | PIN Photodiode |
| PNZ331CL | PIN Photodiode |
| PNZ331F | PIN Photodiode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PNZ323(PN323) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:光デバイス － 受光素子 － PINフォトダイオード |
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| PNZ323B(PN323B) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNZ323B (PN323B) - PIN Photodiode |
| PNZ327 | 功能描述:PIN PHOTO DIODE 900NM 70DEG SIDE RoHS:是 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 系列:- 標準包裝:1 系列:- 波長:850nm 顏色 - 增強型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應率:0.62 A/W @ 850nm 響應時間:5ns 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 暗（標準）:1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 其它名稱:475-2649-6 |
| PNZ327(PN327) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:光デバイス － 受光素子 － PINフォトダイオード |
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