參數(shù)資料
型號: PIC27CR43
廠商: Microchip Technology Inc.
英文描述: High-Performance 8-Bit CMOS EPROM/ROM Microcontroller(每個I/O口有20mA吸收,35mA驅(qū)動,4K位PROM,微控制器)
中文描述: 高性能的8位CMOS存儲器/ ROM的微控制器(每個的I / O口有20mA的吸收,35毫安驅(qū)動,4K的位胎膜早破,微控制器)
文件頁數(shù): 175/241頁
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代理商: PIC27CR43
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1996 Microchip Technology Inc.
DS30412B-page 175
PIC17C4X
Applicable Devices
42 R42 42A 43 R43 44
19.0
PIC17CR42/42A/43/R43/44 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Ambient temperature under bias..................................................................................................................-55 to +125C
Storage temperature............................................................................................................................... -65C to +150C
Voltage on V
DD
with respect to V
SS
................................................................................................................ 0 to +7.5V
Voltage on MCLR with respect to V
SS
(Note 2) ..........................................................................................-0.6V to +14V
Voltage on RA2 and RA3 with respect to V
SS
..............................................................................................-0.6V to +14V
Voltage on all other pins with respect to V
SS
..................................................................................... -0.6V to V
Total power dissipation (Note 1).................................................................................................................................1.0W
Maximum current out of V
SS
pin(s) - total..............................................................................................................250 mA
Maximum current into V
DD
pin(s) - total.................................................................................................................200 mA
Input clamp current, I
IK
(V
I
< 0 or V
I
> V
DD
)
......................................................................................................................±
Output clamp current, I
OK
(V0 < 0 or V0 > V
DD
)
...............................................................................................................±
Maximum output current sunk by any I/O pin (except RA2 and RA3)......................................................................35 mA
Maximum output current sunk by RA2 or RA3 pins.................................................................................................60 mA
Maximum output current sourced by any I/O pin .....................................................................................................20 mA
Maximum current sunk by
PORTA and PORTB (combined)..................................................................................150 mA
Maximum current sourced by PORTA and PORTB (combined).............................................................................100 mA
Maximum current sunk by PORTC, PORTD and PORTE (combined)...................................................................150 mA
Maximum current sourced by PORTC, PORTD and PORTE (combined)..............................................................100 mA
Note 1:
Power dissipation is calculated as follows: Pdis = V
Note 2:
Voltage spikes below V
SS
at the MCLR pin, inducing currents greater than 80 mA, may cause latch-up.
Thus, a series resistor of 50-100
should be used when applying a "low" level to the MCLR pin rather than
pulling this pin directly to V
SS
.
DD
+ 0.6V
20 mA
20 mA
DD
x {I
DD
-
I
OH
} +
{(V
DD
-V
OH
) x I
OH
} +
(V
OL
x I
OL
)
NOTICE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above
those indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
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PDF描述
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