參數(shù)資料
型號(hào)： PHP36N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 43.4 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： PHP36N03LT
PHD_PHP36N03LT_2
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 June 2006
7 of 13
Philips Semiconductors
PHD/PHP36N03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 9.
I
D
= 36 A; V
DS
= 15 V
Fig 11. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 12. Gate charge waveform definitions
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
V
GS
(V)
max
typ
min
Q
G
(nC)
0
20
15
5
10
001aae817
4
6
2
8
10
V
GS
(V)
0
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
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PDF描述
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