參數(shù)資料
型號(hào)： PHP36N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 43.4 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： PHP36N03LT
PHD_PHP36N03LT_2
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 June 2006
3 of 13
Philips Semiconductors
PHD/PHP36N03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
Fig 3.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
°
C)
P
der
(%)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
°
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25
°
C
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25
°
C
)
--------------------
100
%
×
=
001aae811
V
DS
(V)
1
10
2
10
10
2
10
10
3
I
D
(A)
1
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μ
s
100
μ
s
1 ms
DC
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