參數(shù)資料
型號(hào)： PHM12NQ20T
英文描述： 10-Bit, 500ksps ADCs in MSOP with Auto Shutdown; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述： TrenchMOS（TM）的標(biāo)準(zhǔn)水平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： PHM12NQ20T
Philips Semiconductors
PHM12NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 30 January 2003
3 of 12
9397 750 10876
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
V
GS
≥
10 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa15
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03aa23
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
003aaa354
10-2
10-1
1
10
102
1
10
102
103
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
1 ms
tp = 10
μ
s
Limit RDSon = VDS/ID
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHM15NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHM1880-15 Wireless Power Module, 15W 1805-1880 MHz
PHM1990-15 Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PHM960-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX
PHN103S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHM12NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHM13030DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM13030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
PHM15NQ20T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
PHM15NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHM1880-15 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:HZ 15WATT - Bulk
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