參數(shù)資料
型號(hào)： PHM12NQ20T
英文描述： 10-Bit, 500ksps ADCs in MSOP with Auto Shutdown; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述： TrenchMOS（TM）的標(biāo)準(zhǔn)水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大小： 236K
代理商： PHM12NQ20T
Philips Semiconductors
PHM12NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 30 January 2003
2 of 12
9397 750 10876
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C; R
GS
= 20 k
Min
-
-
-
-
-
-
-
55
55
Max
200
200
±
20
14.4
5.8
56.8
62.5
+150
+150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
and
3
T
mb
= 100
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
mb
= 25
°
C;
Figure 1
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
I
SM
peak source (diode forward) current T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
mb
= 25
°
C
-
-
14.4
56
A
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHM15NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHM1880-15 Wireless Power Module, 15W 1805-1880 MHz
PHM1990-15 Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PHM960-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX
PHN103S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHM12NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHM13030DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM13030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
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PHM15NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHM1880-15 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:HZ 15WATT - Bulk
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