參數(shù)資料
型號： PHM12NQ20T
英文描述： 10-Bit, 500ksps ADCs in MSOP with Auto Shutdown; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述： TrenchMOS（TM）的標(biāo)準(zhǔn)水平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： PHM12NQ20T
PHM12NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 30 January 2003
Preliminary data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHM12NQ20T in SOT685-1 (QLPAK).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
Shaded area indicates pin 1 identifier
I
SOT96 (SO-8) footprint compatible
I
Surface mount package
I
Low thermal resistance
I
Low profile.
I
DC-DC converter primary side switch
I
Portable equipment applications.
I
V
DS
≤
200 V
I
P
tot
≤
62.5 W
I
I
D
≤
14.4 A
I
R
DSon
≤
130 m
.
Table 1:
Pin
1,2,3
4
5,6,7,8
mb
Pinning - SOT685 (QLPAK), simplified outlines and symbol
Description
Simplified outline
source (s)
gate (g)
drain (d)
mounting base,
connected to drain (d)
Symbol
SOT685-1 (QLPAK)
1
4
8
5
MBL585
Bottom view
mb
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHM15NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHM1880-15 Wireless Power Module, 15W 1805-1880 MHz
PHM1990-15 Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PHM960-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX
PHN103S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHM12NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHM13030DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM13030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
PHM15NQ20T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
PHM15NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHM1880-15 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:HZ 15WATT - Bulk
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