參數(shù)資料
型號： PHK24NQ04LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 21200 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： PHK24NQ04LT
Philips Semiconductors
PHK24NQ04LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 12 September 2003
6 of 12
9397 750 11709
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ak00
2.8 V
0
5
10
15
20
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
VDS (V)
ID
(A)
10 V
2.6 V
3.2 V
VGS = 2.2 V
3 V
4.5 V
2.4 V
03ak02
0
5
10
15
20
0
1
2
3
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 150
°
C
25
°
C
03ak01
0
10
20
30
0
5
10
15
20
ID (A)
RDSon
(m
)
Tj = 25
°
C
VGS = 2.8 V
3 V
4.5 V
10 V
3.2 V
03ak06
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
相關PDF資料
PDF描述
PHK4NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
PHK5NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
PHL2143 Radar Pulsed Power Transistor, 3W, 2ms Pulse, 20% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHL516-10 Wireless Bipolar Power Transistor, 1OW 1.45 - 1.60 GHz
PHM004 Amplifier. Other
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHK24NQ04LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHK24NQ04LT,518 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH 40V 21.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHK24NQ04LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8
PHK28NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SO-8
PHK28NQ03LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*