參數(shù)資料
型號： PHK24NQ04LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 21200 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： PHK24NQ04LT
Philips Semiconductors
PHK24NQ04LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 12 September 2003
3 of 12
9397 750 11709
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature.
T
sp
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa17
0
40
80
120
0
50
100
150
200
(%)
Tsp (
°
C)
Pder
03aa25
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tsp (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
03aj99
10-1
1
10
102
10-1
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
10 ms
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
100 ms
100
μ
s
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